Standoff
Voltage
(V): 2.8
ILeak
(μA): 1
ESD Contact
(kV): 30
SLVU2.8-4는 저전압, CMOS 디바이스를 ESD 및 번개로 인한 과도 전류로부터 보호하도록 설계되었습니다.
There is a compensating diode in series with each low voltage TVS to present a low loading capacitance to the line being protected.
보호되는 라인에 낮은 부하 커패시턴스를 제공하기 위해 각각의 저전압 TVS와 직렬로 연결된 보상 다이오드가 있다.
These robust structures can safely absorb repetitive ESD strikes at ±30kV (contact discharge) per IEC61000-4-2 standard
and each structure can safely dissipate up to 24A (IEC61000-4-5, tp=8/20μs) with very low clamping voltages.
이 견고한 구조는 IEC61000-4-2 표준에 따라 ± 30kV (접촉 방전)에서 반복적 인 ESD 스트라이크를 안전하게 흡수 할 수 있으며 각 구조는 매우 낮은 클램핑 전압으로 24A (IEC61000-4-5, tp = 8 / 20μs)까지 안전하게 방열 할 수 있습니다 .
Features 풍모:
ESD, IEC61000-4-2, ±30kV contact, ±30kV air ESD, IEC61000-4-2, ± 30kV 접촉, ± 30kV 공기
EFT, IEC61000-4-4, 40A (5/50ns)
Lightning, IEC61000-4-5, 24A (8/20μs)
Low capacitance of 3.8pF per line
라인 당 3.8pF의 낮은 커패시턴스
Low leakage current of 1μA (MAX) at 2.8V
2.8V에서 1μA (MAX)의 낮은 누설 전류
SOIC-8 pin configuration allows for simple flow-through layout
SOIC-8 핀 구성으로 간단한 플로우 스루 레이아웃 가능
Applications 응용 분야 :
10/100/1000 Ethernet 10/100/1000 이더넷
WAN/LAN Equipment WAN / LAN 장비
Switching Systems 스위칭 시스템
Desktops, Servers, and Notebooks 데스크탑, 서버 및 노트북
Analog Inputs 아날로그 입력
Base Stations 기지국
| Catalog # | Standoff
Voltage
(V) | ILeak
(μA) | ESD Contact
(kV) | ESD Air
(kV) | Lightning
Immunity
(8x20μs)
(A) | Clamp
Voltage | CI/OTYP
(pF) | Size | Polarity | Channels | Stock | Samples |
|---|
 |  | | | | | | | | | | | | | SLVU2.8-4BTG | 2.8 | 1 | 30 | 30 | 40 | 7.0V @ 5A | 2 | SOIC-8 | Bipolar | 4 | Check | Order |
| | |
